英特尔14纳米工艺技术(en 免费下载)

文档以“开启新视野”为主题，由英特尔资深院士Mark Bohr领衔讲解，核心围绕**第二代三栅极晶体管（FinFET）**展开，系统呈现14纳米工艺在逻辑面积缩放、单晶体管成本、产品优势及SoC功能菜单等维度的突破。彼时，英特尔已凭借22纳米三栅极晶体管出货超5亿颗芯片，而14纳米作为全球首个进入量产的技术，以42纳米鳍间距、70纳米栅极间距、52纳米互连间距的“真14纳米”维度缩放，实现了超越常规的密度提升——SRAM单元面积较22纳米缩小至0.0588μm²（0.54倍），逻辑面积每代缩放约0.53倍，且通过自对准双图案等先进工艺，让14纳米的密度比同期竞品“20/16/14纳米”技术高约1.3倍，甚至与竞品未来“10纳米”密度相当却早3年落地。  

性能与功耗的平衡是14纳米的另一亮点：第二代三栅极晶体管优化了鳍的宽度（8nm）与高度，实现更高驱动电流与更低泄漏，支撑从服务器到移动始终在线电路的全场景产品需求；14纳米酷睿M处理器作为首款量产14纳米产品，集成13亿晶体管、82mm² die，以4.5W TDP实现无风扇设计，性能较前代提升超2倍（CPU快50%、图形快40%），电池续航翻倍，且达成“无冲突矿物”标准。成本层面，尽管晶圆因掩模步骤增加推高成本，但14纳米通过更优面积缩放维持了单晶体管成本的持续下降，延续摩尔定律的经济性优势。  

文档还延伸至技术 roadmap，明确10纳米将进一步提升性能、功耗与成本表现，同时披露14纳米制造布局（俄勒冈、亚利桑那2014年投产，爱尔兰2015年跟进）及良率已进入健康区间，多款产品 ramp 可满足2015年上半年需求。后续补充的14+/14++增强版、与TSMC/Samsung等竞品的工艺对比，以及CMP工艺挑战等内容，进一步印证英特尔在14纳米节点已形成从晶体管到系统的全栈创新能力——不仅是技术的“更早更密”，更是性能的“领先20%以上”，为从高性能到低功耗的广泛产品提供了核心支撑。  

简言之，这份文档不仅记录了英特尔14纳米工艺的量产里程碑，更诠释了其如何通过第二代三栅极晶体管、超缩放特征与深度设计-工艺协同，在摩尔定律趋近物理极限时，依然保持性能、密度、成本与功耗的行业领导力，为后续10纳米及更先进工艺奠定了坚实基础。